Команда китайских ученых разработала новый компактный источник экстремального ультрафиолетового (EUV) излучения для литографии, что знаменует собой важный шаг к автономии страны в производстве микрочипов. Новация позволит создавать чипы с топологическим узлом 14 нанометров. Хотя новая технология не призвана заменить оборудование ASML, она станет эффективной альтернативой для небольших партий чипов и для задач, таких как инспекция фотошаблонов и создание прототипов квантовых процессоров. Новый источник, использующий фемтосекундный лазер и газ аргон, генерирует EUV-излучение без необходимости в крупных зеркалах, что упрощает устройство и снижает стоимость его эксплуатации. В отличие от традиционного оборудования ASML, которое потребляет 200 ватт, этот источник требует всего 1 микроватта, хотя его применение в массовом производстве ограничено. В условиях, когда Китай не может осуществлять закупки оборудования ASML, разработанный источник EUV становится ключевым для улучшения ситуации в области микрочипов и уменьшения зависимости от Запада.