Память типа HBM, формируемая несколькими слоями, признана одной из самых быстрых, но остается дорогой и сложной в производстве. Организация JEDEC готовит изменения в требованиях к высоте стека HBM4E, что облегчит задачу производителям как текущего поколения, так и будущих. Согласно информации от Business Korea, максимальная высота стека HBM3E составляет 720 мкм, тогда как для HBM4 она установлена на уровне 775 мкм. Ожидается, что для HBM4E этот показатель увеличится до 900 мкм, что позволит разместить больше ярусов и, следовательно, увеличить ёмкость. В настоящее время HBM3E может содержать до 12 ярусов, но уже имеются образцы 16-ярусных чипов. Упрощение стандартов также позволит сохранить существующую технологию упаковки чипов и снизить уровень брака, что приведет к снижению затрат. Однако южнокорейские производители, такие как Samsung и SK hynix, опасаются, что смягчение требований даст возможность конкурентам легче выйти на рынок, в частности китайским компаниям.