Samsung сообщила о старте массового производства и коммерческих поставок памяти нового поколения HBM4, став первой компанией, достигнувшей этой вехи. Ключевая особенность новинки заключается в применении усовершенствованного 4-нм техпроцесса для логического слоя и шести поколений 10-нм чипов DRAM, что позволило достичь впечатляющих характеристик, не изменяя архитектуру. Указаны скорости в 11,7 Гбит/с с возможным максимумом до 13 Гбит/с. Пропускная способность достигла 3,3 ТБ/с на стек, что превышает HBM3E в 2,7 раза, что особенно важно для повышения эффективности обучения больших языковых моделей ИИ. При удвоенном количестве контактов ввода-вывода удалось увеличить энергоэффективность на 40%. В настоящее время доступны решения объемом 24 и 36 ГБ (12-слойные), а в планах — 16-слойные модули на 48 ГБ. Samsung ожидает значительного роста спроса на HBM и намерена начать тестирование улучшенной версии HBM4E во второй половине 2026 года.