Ключевым элементом 2-нм техпроцесса является архитектура транзисторов Gate-All-Around (GAA), которая окружает канал затвором со всех сторон. Это обеспечивает уменьшение утечек тока, а также повышение скорости на 10-15% и снижение энергопотребления на 25-30% по сравнению с 3-нм техпроцессом TSMC. Энергоэффективность критична для серверов ИИ и мобильных устройств, где энергопотребление стало ограничивающим фактором. Samsung использует опыт GAA для разработки SF2P с MBCFET-транзисторами, позволяя настраивать ширину нанолистов для оптимизации производительности или энергопотребления. К 2025 году Samsung планирует достичь 60% выхода годных изделий для процессоров Exynos 2600. Переход к жидкостному охлаждению чипов становится необходимым для обеспечения производительности, особенно в ускорителях ИИ, таких как NVIDIA Rubin. Кроме того, 2-нм техпроцесс позволяет интегрировать высокоскоростную память HBM4, что способствует снижению задержек при обучении ИИ. В гонке за технологическими клиентами Apple уже заняла 50% мощностей TSMC для чипов A20, а Samsung сотрудничает с AMD и Google для тестирования новых технологий. Цены на 2-нм пластины также играют важную роль: Samsung предлагает их по $20 000, что на 33% меньше, чем у TSMC. Ожидается запуск первых 2-нм ускорителей ИИ к середине 2026 года, что откроет новые возможности для моделирования физической реальности. В долгосрочной перспективе 2-нм техпроцесс подготавливает почву для 1,4-нм эры и развития технологии «системы на пластине» (System-on-Wafer), что позволит производить взаимосвязанные блоки для ИИ.