Компания Intel в сотрудничестве с imec представила свои достижения в области двумерных транзисторов (2DFET), которые имеют толщину всего в несколько атомов. Несмотря на то, что 2D-транзисторы изучаются более десяти лет, их массовое производство оставалось недостижимым из-за хрупких технологий и небольших пластин. На недавней конференции был продемонстрирован процесс интеграции 2D-материалов на 300-миллиметровые пластины, что подчеркивает их потенциал в производстве полупроводников.
В разработке использовались дихалькогениды переходных металлов, такие как WS₂ и MoS₂ для транзисторов n-типа, и WSe₂ для p-типа. Главное достижение Intel заключалось в создании схемы интеграции контактов, позволяющей сохранить целостность чувствительных 2D-каналов. Это нововведение значительно упрощает производство низкоомных контактов, что является важным шагом на пути к коммерциализации 2D-транзисторов. Хотя полное внедрение технологий 2D-материалов ожидается не ранее второй половины 2030-х годов, текущая работа Intel позволяет снизить риски, связанные с их производством, обеспечивая тестирование в реальных условиях.