В течение более десяти лет 2D-транзисторы на основе 2D-материалов демонстрировались в лабораторных условиях, однако до недавнего времени они не подходили для массового производства. На этой неделе Intel Foundry и Imec объявили о достижении, позволяющем производить 2D-полевые транзисторы (2DFET) на 300-мм пластинах. Основные современные техпроцессы, такие как GAA, развиваются в сторону комплементарных полевых транзисторов (CFET), которые обещают увеличить плотность транзисторов. Однако физические ограничения кремниевых каналов ведут к поиску альтернатив, таких как двумерные материалы. Intel и Imec представили новые методы интеграции контактов и затворных стеков, которые обеспечивают надежность и масштабируемость. Хотя применение 2D-транзисторов ожидается в долгосрочной перспективе, это исследование снижает риски и открывает новые возможности для полупроводниковой отрасли, сокращая время на тестирование и разработку.