Институт физики микроструктур Российской академии наук разработал стратегию по созданию отечественных установок экстремальной ультрафиолетовой литографии. Ожидается, что самая современная система, способная производить процессоры и системы на кристалле с техпроцессом 10 нм и меньше, появится через десять лет. В отличие от литографов компании ASML, российские машины будут использовать уникальные технологии, включая гибридные твердотельные лазеры и источники света на ксеноновой плазме, а также зеркала из рутения и бериллия. Выбор ксенона поможет избежать загрязнения фотошаблонов, что снизит затраты на обслуживание. Дорожная карта состоит из трех этапов: первый — создание литографа для 40 нм в 2026-2028 годах; второй — разработка сканера для 14 нм в 2029-2032 годах; третий — производство чипов менее 10 нм в 2033-2036 годах. В каждом этапе будут улучшаться оптические системы и эффективность сканирования, при этом стоимость продукции будет ниже, чем у аналогов ASML.